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PHD10N10E PDF预览

PHD10N10E

更新时间： 2024-09-22 22:26:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
PowerMOS transistor

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PHD10N10E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-63
包装说明：PLASTIC, SOT-428, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81雪崩能效等级（Eas）：35 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHD10N10E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product Specification  
PowerMOS transistor  
PHD10N10E  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope suuitable for  
surface mounting. The device is  
intended for use in Switched Mode  
Power Supplies (SMPS), motor  
control, welding, DC/DC and AC/DC  
converters, and in general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state resistance  
100  
11  
V
A
W
˚C  
Ω
Ptot  
Tj  
60  
175  
0.25  
RDS(ON)  
PINNING - SOT428  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
d
gate  
2
drain  
g
3
source  
2
s
tab drain  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
100  
100  
30  
V
V
Drain-gate voltage  
RGS = 20 kΩ  
-
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction Temperature  
-
-
V
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
11  
A
ID  
-
7.7  
44  
A
IDM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
-
- 55  
-
60  
W
˚C  
˚C  
175  
175  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
-
2.5  
K/W  
mounting base  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
pcb mounted, minimum  
footprint  
50  
-
K/W  
September 1997  
1
Rev 1.000  
1234567

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与PHD10N10E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHD10N10E/T3 NXP

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 		11A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3
PHD10N10E118 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 11 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHD110NQ03LT PHILIPS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
PHD11N03LT NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD11N06LT NXP

获取价格

 		TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD11N06LT/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 10.3 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET Gene
PHD12D-H AUK

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 		Board Connector, 12 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Termina
PHD12N10E NXP

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 		PowerMOS transistor
PHD12N10E118 NXP

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 		TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHD12NQ15T NXP

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