PHB160NQ08T

更新时间： 2024-02-04 18:20:20

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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13页	88K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHB160NQ08T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PHB160NQ08T 数据手册

PHP/PHB160NQ08T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Philips Semiconductors

03aa32

03aa35

-1

GS(th)

(V)

(A)

-2

-3

-4

-5

-6

max

typ

min

typ

max

min

-60

120

180

T ( C)

(V)

I_D= 1 mA; V_DS= V_GS

T_j= 25 °C; V_DS= 5 V

Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of

junction temperature.

Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of

gate-source voltage.

03ap72

iss

(pF)

oss

rss

-1

(V)

V_GS= 0 V; f = 1 MHz

Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.

9397 750 12719

Product data

Rev. 01 — 28 January 2004

7 of 13

1...4 5 678 9 10...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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