PHB160NQ08T

更新时间： 2024-02-18 10:16:40

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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13页	88K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHB160NQ08T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PHB160NQ08T 数据手册

PHP/PHB160NQ08T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Philips Semiconductors

6. Characteristics

Table 5:

Characteristics

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Static characteristics

V_(BR)DSSdrain-source breakdown voltage

I_D= 250 µA; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

T_j= −55 °C

V_GS(th)

gate-source threshold voltage

drain-source leakage current

I_D= 1 mA; V_DS= V_GS; Figure 9

T_j= 25 °C

T_j= 175 °C

T_j= −55 °C

4.4

I_DSS

V_DS= 75 V; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

µA

T_j= 175 °C

500

100

I_GSS

gate-source leakage current

V_GS= ±20 V; V_DS= 0 V

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; Figure 7 and 8

T_j= 25 °C

R_DSon

drain-source on-state resistance

4.8

5.6

mΩ

T_j= 175 °C

10.1 11.8 mΩ

Dynamic characteristics

Q_g(tot)

Q_gs

Q_gd

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

total gate charge

gate-source charge

gate-drain (Miller) charge

input capacitance

output capacitance

reverse transfer capacitance

turn-on delay time

rise time

I_D= 25 A; V_DD= 60 V; V_GS= 10 V;

Figure 13

V_GS= 0 V; V_DS= 25 V; f = 1 MHz;

Figure 11

5585

845

263

V_DD= 30 V; R_G= 1.2 Ω;

V_GS= 10 V; R_G= 10 Ω

t_d(off)

t_f

turn-off delay time

fall time

128

Source-drain diode

V_SD

t_rr

source-drain (diode forward) voltage I_S= 25 A; V_GS= 0 V; Figure 12

0.81 1.2

reverse recovery time

recovered charge

I_S= 20 A; dI_S/dt = −100 A/µs; V_GS= 0 V

Q_r

253

9397 750 12719

Product data

Rev. 01 — 28 January 2004

5 of 13

1 2 3 456 7 8...13

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