PHB21N06T

更新时间： 2024-02-28 23:35:06

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	72K
描述
TrenchMOS transistor Standard level FET

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PHB21N06T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	ESD PROTECTED	雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHB21N06T 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

TrenchMOS transistor

Standard level FET

PHB21N06T

GENERAL DESCRIPTION

QUICK REFERENCE DATA

N-channel enhancement mode

standard level field-effect power

transistor in a plastic envelope

suitable for surface mounting. Using

’trench’ technology the device

features very low on-state resistance

and has integral zener diodes giving

ESD protection up to 2kV. It is

intended for use in DC-DC

converters and general purpose

switching applications.

SYMBOL

PARAMETER

MAX.

UNIT

V_DS

I_D

P_tot

T_j

Drain-source voltage

Drain current (DC)

Total power dissipation

Junction temperature

Drain-source on-state

175

˚C

mΩ

R_DS(ON)

resistance

V_GS= 10 V

PINNING - SOT404

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

gate

drain

source

mb drain

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DS

V_DGR

±V_GS

I_D

I_DM

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

14.7

175

˚C

R_GS= 20 kΩ

T_mb= 25 ˚C

T_mb= 100 ˚C

T_mb= 25 ˚C

Drain current (DC)

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

Storage & operating temperature

P_tot

T_stg, T_j

- 55

ESD LIMITING VALUE

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_C

Electrostatic discharge capacitor

voltage, all pins

Human body model

(100 pF, 1.5 kΩ)

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance junction to

mounting base

2.18

K/W

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to

ambient

Minimum footprint, FR4

board

K/W

December 1997

Rev 1.100

12 3 4 5 6 7 8

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与PHB21N06T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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