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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PHB2N50 | NXP | PowerMOS transistor |
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| PHB2N50E | NXP | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHB2N50E/T3 | NXP | TRANSISTOR 2 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-404, 3 PIN, FET General Pu |
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| PHB2N60 | NXP | TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| PHB2N60E | NXP | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHB2N60E/T3 | NXP | TRANSISTOR 1.9 A, 600 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-404, 3 PIN, FET General |
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