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PHB23NQ15T

更新时间： 2024-01-10 15:29:04

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	101K
描述
N-channel TrenchMOS transistor

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技术参数
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PHB23NQ15T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	136 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

PHB23NQ15T 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP23NQ15T, PHB23NQ15T

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

V_DSS= 150 V

I_D= 23 A

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 90 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device

hasvery lowon-state resistance. Itisintended for usein dc to dc converters and general purposeswitching applications.

The PHP23NQ15T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB23NQ15T is supplied in the SOT404 (D²PAK) surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404 (D²PAK)

DESCRIPTION

tab

gate

drain¹

source

drain

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

150

± 20

˚C

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_mb= 25 ˚C

136

175

- 55

1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 package

August 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7...9

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与PHB23NQ15T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PHB23NQ15T/T3	NXP	23A, 150V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
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