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PHB23NQ15T

更新时间： 2024-02-28 06:29:08

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
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9页	101K
描述
N-channel TrenchMOS transistor

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PHB23NQ15T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	136 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

PHB23NQ15T 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP23NQ15T, PHB23NQ15T

AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

E_ASNon-repetitive avalanche

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

Unclamped inductive load, I_AS= 18 A;

t_p= 100 µs; T_jprior to avalanche = 25˚C;

180

energy

V_DD≤ 25 V; R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V; refer

to fig:15

I_AS

Peak non-repetitive

avalanche current

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance junction

to mounting base

1.1

K/W

R_{th j-a}

Thermal resistance junction SOT78 package, in free air

to ambient SOT404 package, pcb mounted, minimum

footprint

K/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_j= 25˚C unless otherwise specified

SYMBOL PARAMETER

V_(BR)DSSDrain-source breakdown

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

V_GS= 0 V; I_D= 0.25 mA;

150

voltage

T_j= -55˚C

133

V_GS(TO)

Gate threshold voltage

V_DS= V_GS; I_D= 1 mA

T_j= 175˚C

T_j= -55˚C

R_DS(ON)

Drain-source on-state

resistance

Gate source leakage current V_GS= ± 10 V; V_DS= 0 V

Zero gate voltage drain

current

V_GS= 10 V; I_D= 11 A

0.05

252

100

500

mΩ

µA

T_j= 175˚C

I_GSS

I_DSS

V_DS= 150 V; V_GS= 0 V;

T_j= 175˚C

Q_g(tot)

Q_gs

Q_gd

Total gate charge

Gate-source charge

Gate-drain (Miller) charge

I_D= 23 A; V_DD= 120 V; V_GS= 10 V

t_{d on}

t_r

t_{d off}

t_f

Turn-on delay time

Turn-on rise time

Turn-off delay time

Turn-off fall time

V_DD= 75 V; R_D= 3.3 Ω;

V_GS= 10 V; R_G= 5.6 Ω

Resistive load

L_d

Internal drain inductance

Measured tab to centre of die

Measured from drain lead to centre of die

(SOT78 package only)

3.5

4.5

L_s

Internal source inductance

Measured from source lead to source

bond pad

7.5

C_iss

C_oss

C_rss

Input capacitance

Output capacitance

Feedback capacitance

V_GS= 0 V; V_DS= 25 V; f = 1 MHz

1780

206

118

August 1999

Rev 1.000

123 4 5 6 7...9

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与PHB23NQ15T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PHB23NQ15T/T3	NXP	23A, 150V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
PHB24N03LT	NXP	TrenchMOS transistor Logic level FET	获取价格
PHB24N03LTT/R	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| SOT-404	获取价格
PHB24N03T	NXP	TrenchMOS transistor Standard level FET	获取价格
PHB24N03T/T3	NXP	TRANSISTOR 24 A, 30 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gen	获取价格
PHB24N03TT/R	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 24A I(D) \| SOT-404	获取价格

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