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PHB191NQ06LT

更新时间： 2024-02-23 02:23:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	90K
描述
Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology

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PHB191NQ06LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB191NQ06LT 数据手册

PHP/PHB191NQ06LT

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 01 — 05 May 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

Logic level N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package

using TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Logic level threshold

■ Very low on-state resistance.

1.3 Applications

■ Motors, lamps, solenoids

■ DC-to-DC converters

■ Uninterruptible power supplies

■ General industrial applications.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 55 V

■ P_tot≤ 300 W

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon≤ 3.7 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pin Description

Pinning - SOT78 (TO-220AB) and SOT404 (D²-PAK), simpliﬁed outline and symbol

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (g)

[1]

drain (d)

source (s)

mb mountingbase;

connected to

drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT404 (D²-PAK)

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...13

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