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PHB1N60T/R

更新时间： 2024-01-20 17:11:17

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	349K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 1.9A I(D) \| SOT-404

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PHB1N60T/R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

PHB1N60T/R 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PHB20N06T	NXP	N-channel TrenchMOS transistor	获取价格
PHB20N06T,118	NXP	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin	获取价格
PHB20NQ20T	NXP	N-channel TrenchMOS transistor	获取价格
PHB20NQ20T,118	NXP	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin	获取价格
PHB20NQ20T/T3	NXP	TRANSISTOR 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
PHB210N03LT	NXP	TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen	获取价格

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