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PHB20N06T,118

更新时间： 2024-02-26 06:58:17

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恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	196K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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技术参数
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PHB20N06T,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	7.09	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	30.3 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20.3 A	最大漏极电流 (ID)：	20.3 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	81 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHB20N06T,118 数据手册

PHB20N06T

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 25 November 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

on-state resistance

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 3 and 1

20.3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C;

see Figure 2

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 44 V; T_j= 25 °C;

see Figure 13

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 10 A;

T_j= 175 °C;

see Figure 11 and 12

150

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 10 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 11 and 12

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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