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PHB20NQ20T/T3

更新时间： 2024-02-03 06:50:42

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	102K
描述
TRANSISTOR 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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技术参数
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PHB20NQ20T/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	252 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHB20NQ20T/T3 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP20NQ20T, PHB20NQ20T

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

V_DSS= 200 V

I_D= 20 A

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 130 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device

hasvery lowon-state resistance. Itisintended for usein dc to dc converters and general purposeswitching applications.

The PHP20NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB20NQ20T is supplied in the SOT404 (D²PAK) surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404 (D²PAK)

DESCRIPTION

tab

gate

drain¹

source

drain

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

200

± 20

˚C

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_mb= 25 ˚C

150

175

- 55

1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 package

August 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7...9

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与PHB20NQ20T/T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PHB210N03LT	NXP	TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen	获取价格
PHB210N03LT	PHILIPS	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
PHB21N06LT	NXP	TrenchMOS transistor Logic level FET	获取价格
PHB21N06LT	NEXPERIA	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction	获取价格
PHB21N06LT,118	NXP	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin	获取价格
PHB21N06LT-T	NXP	暂无描述	获取价格