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PHB191NQ06LT

更新时间： 2024-01-23 03:46:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	90K
描述
Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology

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PHB191NQ06LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB191NQ06LT 数据手册

PHP/PHB191NQ06LT

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

Philips Semiconductors

6. Characteristics

Table 5:

Characteristics

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Static characteristics

V_(BR)DSSdrain-source breakdown voltage

I_D= 250 µA; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

T_j= −55 °C

V_GS(th)

gate-source threshold voltage

drain-source leakage current

I_D= 1 mA; V_DS= V_GS; Figure 9 and 10

T_j= 25 °C

1.5

T_j= 175 °C

0.5

T_j= −55 °C

2.2

I_DSS

V_DS= 55 V; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

µA

T_j= 175 °C

500

100

I_GSS

gate-source leakage current

V_GS= ±15 V; V_DS= 0 V

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; Figure 7 and 8

T_j= 25 °C

R_DSon

drain-source on-state resistance

3.1

3.7

7.4

4.2

4.4

mΩ

T_j= 175 °C

V_GS= 5 V; I_D= 25 A; Figure 7 and 8

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A; Figure 8

3.5

Dynamic characteristics

Q_g(tot)

Q_gs

Q_gd

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

total gate charge

gate-source charge

gate-drain (Miller) charge

input capacitance

output capacitance

reverse transfer capacitance

turn-on delay time

rise time

I_D= 25 A; V_DD= 44 V; V_GS= 5 V; Figure 13

95.6

17.2

37.6

7665

1045

465

V_GS= 0 V; V_DS= 25 V; f = 1 MHz;

Figure 11

V_DD= 30 V; R_L= 1.2 Ω;

V_GS= 5 V; R_G= 10 Ω

232

273

178

t_d(off)

t_f

turn-off delay time

fall time

Source-drain diode

V_SD

t_rr

source-drain (diode forward) voltage I_S= 25 A; V_GS= 0 V; Figure 12

0.79 1.2

reverse recovery time

recovered charge

I_S= 20 A; dI_S/dt = −100 A/µs; V_GS= 0 V

Q_r

171

9397 750 13168

Product data

Rev. 01 — 05 May 2004

5 of 13

1 2 3 456 7 8...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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PHB1N60T/R	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 1.9A I(D) \| SOT-404	获取价格
PHB20N06T	NXP	N-channel TrenchMOS transistor	获取价格
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