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PHB191NQ06LT

更新时间： 2024-02-09 12:40:25

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	90K
描述
Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology

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PHB191NQ06LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB191NQ06LT 数据手册

PHP/PHB191NQ06LT

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

Philips Semiconductors

3. Ordering information

Table 2:

Ordering information

Type number

Package

Name

Description

Version

PHP191NQ06LT

PHB191NQ06LT

TO-220AB Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3 leads SOT78

D²-PAK

Plastic single-ended surface mounted package; 3 leads (one lead cropped) SOT404

4. Limiting values

Table 3:

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

drain-source voltage (DC)

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

drain-gate voltage (DC)

gate-source voltage (DC)

drain current (DC)

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C; R_GS= 20 kΩ

±15

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V; Figure 2 and 3

T_mb= 100 °C; V_GS= 10 V; Figure 2

T_mb= 25 °C; pulsed; t_p≤ 10 µs; Figure 3

T_mb= 25 °C; Figure 1

I_DM

P_tot

T_stg

T_j

peak drain current

240

300

+175

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

°C

−55

Source-drain diode

I_S

source (diode forward) current (DC) T_mb= 25 °C

I_SM

peak source (diode forward) current T_mb= 25 °C; pulsed; t_p≤ 10 µs

240

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source

avalanche energy

unclamped inductive load; I_D= 75 A;

t_p= < 0.21 ms; V_DD≤ 55 V; R_GS= 50 Ω;

V_GS= 10 V; starting T_j= 25 °C

560

9397 750 13168

Product data

Rev. 01 — 05 May 2004

2 of 13

123 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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