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PHB191NQ06LT

更新时间： 2024-01-24 05:39:21

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	90K
描述
Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology

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PHB191NQ06LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB191NQ06LT 数据手册

PHP/PHB191NQ06LT

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

Philips Semiconductors

5. Thermal characteristics

Table 4: Thermal characteristics

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

R_th(j-mb)thermal resistance from junction to mounting base Figure 4

0.5

K/W

R_th(j-a)

thermal resistance from junction to ambient

SOT78

vertical in still air

K/W

SOT404

mounted on a printed-circuit

board; vertical in still air;

minimum footprint.

5.1 Transient thermal impedance

03ar00

th(j-mb)

(K/W)

= 0.5

0.2

0.1

-1

0.05

0.02

δ =

single pulse

-2

-4

-3

-2

-1

(s)

Fig 4. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.

9397 750 13168

Product data

Rev. 01 — 05 May 2004

4 of 13

1 2 345 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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