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PHB18NQ10T/T3

更新时间： 2024-02-08 14:23:54

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	117K
描述
TRANSISTOR 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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技术参数
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PHB18NQ10T/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	70 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHB18NQ10T/T3 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP18NQ10T, PHB18NQ10T

PHD18NQ10T

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

V_DSS= 100 V

I_D= 18 A

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 90 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

Applications:-

• d.c. to d.c. converters

• switched mode power supplies

The PHP18NQ10T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

The PHB18NQ10T is supplied in the SOT404 (D²PAK) surface mounting package.

The PHD18NQ10T is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404 (D²PAK)

SOT428 (DPAK)

tab

DESCRIPTION

tab

gate

drain ¹

source

1 2 3

tab drain

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

100

± 20

˚C

T_mb= 25 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 100 ˚C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

T_mb= 25 ˚C

175

- 55

1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.

August 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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