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PHB18NQ10T/T3

更新时间： 2024-01-30 04:21:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	117K
描述
TRANSISTOR 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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技术参数
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PHB18NQ10T/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	70 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHB18NQ10T/T3 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP18NQ10T, PHB18NQ10T

PHD18NQ10T

Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)

Normalised Power Derating, PD (%)

100

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

D = tp/T

0.1

0.01

0.02

single pulse

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

100

125

150

175

Pulse width, tp (s)

Mounting Base temperature, Tmb (C)

Fig.1. Normalised power dissipation.

PD% = 100 P_D/P_{D 25 ˚C}= f(T_mb)

Fig.4. Transient thermal impedance.

Z_{th j-mb}= f(t); parameter D = t_p/T

Drain Current, ID (A)

Tj = 25 C

Normalised Current Derating, ID (%)

VGS = 10V

8 V

100

6 V

5.4 V

5.2 V

5 V

4.8 V

4.4 V

4.6 V

1.6

100

125

150

175

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.8

Mounting Base temperature, Tmb (C)

Drain-Source Voltage, VDS (V)

Fig.2. Normalised continuous drain current.

ID% = 100 I_D/I_{D 25 ˚C}= f(T_mb); conditions: V_GS≥ 10 V

Fig.5. Typical output characteristics, T_j= 25 ˚C.

I_D= f(V_DS)

Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)

100

Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

0.2

RDS(on) = VDS/ ID

4.8V

5.2 V

Tj = 25 C

0.18

0.16

0.14

0.12

0.1

4.6V

5 V

5.4 V

tp = 10 us

100 us

D.C.

1 ms

8 V

10 ms

0.08

0.06

0.04

0.02

100 ms

VGS = 10V

0.1

100

1000

Drain-Source Voltage, VDS (V)

Drain Current, ID (A)

Fig.3. Safe operating area. T_mb= 25 ˚C

I_D& I_DM= f(V_DS); I_DMsingle pulse; parameter t_p

Fig.6. Typical on-state resistance, T_j= 25 ˚C.

R_DS(ON)= f(I_D)

August 1999

Rev 1.000

1 2 345 6 7...12

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