Datasheet > PHB18NQ10T/T3

PHB18NQ10T/T3

更新时间： 2024-01-06 02:58:37

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	117K
描述
TRANSISTOR 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PHB18NQ10T/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	70 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHB18NQ10T/T3 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PHP18NQ10T, PHB18NQ10T

PHD18NQ10T

Maximum Avalanche Current, I_AS(A)

100

Gate-source voltage, VGS (V)

ID = 18A

Tj = 25 C

25 C

VDD = 20 V

VDD = 80 V

Tj prior to avalanche = 150 C

0.1

10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30

Gate charge, QG (nC)

0.001

0.01

0.1

Avalanche time, t_AV(ms)

Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.

V_GS= f(Q_G)

Fig.15. Maximum permissible non-repetitive

avalanche current (I_AS) versus avalanche time (t_AV);

unclamped inductive load

Source-Drain Diode Current, IF (A)

VGS = 0 V

175 C

Tj = 25 C

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

Source-Drain Voltage, VSDS (V)

1.1 1.2

Fig.14. Typical reverse diode current.

I_F= f(V_SDS); conditions: V_GS= 0 V; parameter T_j

August 1999

Rev 1.000

1...3 4 567 8 9...12

下载PDF

与PHB18NQ10T/T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PHB18NQ20T	NXP	N-channel TrenchMOS transistor	获取价格
PHB18NQ20T/T3	NXP	TRANSISTOR 16 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
PHB191NQ06LT	NXP	Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using	获取价格
PHB191NQ06LT	NEXPERIA	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction	获取价格
PHB191NQ06LT,118	NXP	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin	获取价格
PHB193NQ06T	NXP	N-channel TrenchMOS standard level FET	获取价格