PHB160NQ08T

更新时间： 2024-02-18 11:25:13

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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13页	88K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHB160NQ08T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PHB160NQ08T 数据手册

PHP/PHB160NQ08T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Philips Semiconductors

5. Thermal characteristics

Table 4: Thermal characteristics

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

R_th(j-mb)thermal resistance from junction to mounting base Figure 4

0.5

K/W

R_th(j-a)

thermal resistance from junction to ambient

SOT78

vertical in still air

K/W

SOT404

mounted on a printed-circuit

board; minimum footprint.

5.1 Transient thermal impedance

03ap66

th(j-mb)

(K/W)

= 0.5

0.2

0.1

-1

0.05

0.02

δ =

single pulse

-2

-4

-3

-2

-1

(s)

Fig 4. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.

9397 750 12719

Product data

Rev. 01 — 28 January 2004

4 of 13

1 2 345 6 7...13

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