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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 365 ns | 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
| VCEsat-Max： | 1.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PH2907A-AMMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| PH2907-AMMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| PH2907AT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
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| PH2907-T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| PH2920 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PH2925U | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS⑩ ultra low level FET |
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| PH2925U | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS ultra low level FETProduction |
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| PH2925U,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS ultra low level FET SOIC 4-Pin |
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| PH2931-135S | TE |
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Radar Pulsed Power Transistor 135W, 2.9-3.1 G |
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| PH2931-20M | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse, 10% Duty 2.9-3.1 GHz |
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