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PH2925U

更新时间： 2024-09-26 11:15:27

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	687K
描述
N-channel TrenchMOS ultra low level FETProduction

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PH2925U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0042 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PH2925U 数据手册

PH2925U

N-channel TrenchMOS ultra low level FET

Rev. 04 — 24 February 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Higher operating power due to low

Low conduction losses due to low

thermal resistance

on-state resistance

Interfaces directly with low voltage

gate drivers

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Notebook computers

Portable equipment

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 4.5 V;

see Figure 1; see Figure 3

100

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

62.5

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 50 A;

V_DS= 10 V; T_j= 25 °C;

see Figure 10; see Figure 11

20.2

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 8;

see Figure 9

2.3

mΩ

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PH2925U,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS ultra low level FET SOIC 4-Pin
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PH2931-20M	TE	获取价格	Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse, 10% Duty 2.9-3.1 GHz
PH2931-5M	TE	获取价格	Radar Pulsed Power Transistor,5W,100ms Pulse, 10% Duty 2.9-3.1 GHz
PH2931-I3	TE	获取价格	Radar Pulsed Power Transistor, 135W, 20ms Pulse, 1% Duty 2.9 - 3.1 GHz
PH2-C18575-14-MHP-A55935	ADAM-TECH	获取价格	Trapezoid
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