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PH2925U,115

更新时间： 2024-09-25 15:47:51
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恩智浦 - NXP PC开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 176K
描述
N-channel TrenchMOS ultra low level FET SOIC 4-Pin

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PH2925U,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, LFPAK-4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.2雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-235JESD-30 代码：R-PSSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PH2925U,115 数据手册

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PH2925U  
N-channel TrenchMOS ultra low level FET  
Rev. 04 — 24 February 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in  
computing, communications, consumer and industrial applications only.  
1.2 Features and benefits  
„ Higher operating power due to low  
„ Low conduction losses due to low  
thermal resistance  
on-state resistance  
„ Interfaces directly with low voltage  
gate drivers  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC convertors  
„ Notebook computers  
„ Portable equipment  
„ Switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 150 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
25  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 4.5 V;  
see Figure 1; see Figure 3  
100  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
62.5  
-
W
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 4.5 V; ID = 50 A;  
VDS = 10 V; Tj = 25 °C;  
see Figure 10; see Figure 11  
20.2  
nC  
Static characteristics  
RDSon  
drain-source  
on-state resistance  
VGS = 4.5 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 8;  
see Figure 9  
-
2.3  
3
mΩ  
 
 
 
 
 
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PH2925U,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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