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PH2920

更新时间： 2024-09-24 22:26:35

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	202K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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PH2920 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数：	235	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.0058 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PH2920 数据手册

PH2920

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

M3D748

Rev. 01 — 13 June 2003

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a SOT669 (LFPAK)

package.

Product availability:

PH2920 in SOT669 (LFPAK).

1.2 Features

■ Low thermal resistance

■ Low gate drive current

■ SO8 equivalent area footprint

■ Low on-state resistance.

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ Portable appliances

■ Switched mode power supplies

■ Notebook computers.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 20 V

■ I_D≤ 60 A

■ P_tot≤ 62.5 W

■ R_DSon≤ 2.9 mΩ

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT669 (LFPAK), simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

drain (d)

Top view

MBL286

MBL288

s1 s2 s3

SOT669 (LFPAK)

12 3 4 5 6 7...12

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