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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.79 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | VCEsat-Max： | 1.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PH2920 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PH2925U | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS⑩ ultra low level FET |
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| PH2925U | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS ultra low level FETProduction |
|
| PH2925U,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS ultra low level FET SOIC 4-Pin |
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| PH2931-135S | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor 135W, 2.9-3.1 G |
|
| PH2931-20M | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse, 10% Duty 2.9-3.1 GHz |
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| PH2931-5M | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor,5W,100ms Pulse, 10% Duty 2.9-3.1 GHz |
|
| PH2931-I3 | TE |
获取价格 |
Radar Pulsed Power Transistor, 135W, 20ms Pulse, 1% Duty 2.9 - 3.1 GHz |
|
| PH2-C18575-14-MHP-A55935 | ADAM-TECH |
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Trapezoid |
|
| PH2-C18765-14-FHP-8 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Trapezoid |
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