5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PF48F4400P0VBQ0
PF48F4400P0VBQ0 PDF预览

PF48F4400P0VBQ0

更新时间： 2024-02-04 03:48:40
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
102页 1616K
描述
Intel StrataFlash Embedded Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

PF48F4400P0VBQ0 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最长访问时间：88 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B88长度：11 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8, 510端子数量：88
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA88,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：4 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8,1.8/3.3 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.051 mA
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

PF48F4400P0VBQ0 数据手册

 浏览型号PF48F4400P0VBQ0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PF48F4400P0VBQ0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PF48F4400P0VBQ0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PF48F4400P0VBQ0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PF48F4400P0VBQ0的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PF48F4400P0VBQ0的Datasheet PDF文件第7页 
®
Intel StrataFlash Embedded Memory  
(P30)  
1-Gbit P30 Family  
Datasheet  
Product Features  
■ High performance  
■ Security  
— One-Time Programmable Registers:  
— 85/88 ns initial access  
• 64 unique factory device identifier bits  
• 64 user-programmable OTP bits  
• Additional 2048 user-programmable OTP bits  
— Selectable OTP Space in Main Array:  
• 4x32KB parameter blocks + 3x128KB main  
blocks (top or bottom configuration)  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down  
— 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 25 ns asynchronous-page read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode  
— Buffered Enhanced Factory Programming  
(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)  
— 1.8 V buffered programming at 7 µs/byte (Typ)  
■ Architecture  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density  
at Lowest Cost  
■ Software  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— 20 µs (Typ) program suspend  
— 20 µs (Typ) erase suspend  
— Intel® Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Command  
Set compatible  
— 128-KByte main blocks  
■ Voltage and Power  
— VCC (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V  
— VCCQ (I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V  
— Standby current: 55 µA (Typ) for 256-Mbit  
— 4-Word synchronous read current:  
13 mA (Typ) at 40 MHz  
— Common Flash Interface capable  
■ Density and Packaging  
— 64/128/256-Mbit densities in 56-Lead TSOP  
package  
— 64/128/256/512-Mbit densities in 64-Ball  
Intel® Easy BGA package  
— 64/128/256/512-Mbit and 1-Gbit densities in  
Intel® QUAD+ SCSP  
■ Quality and Reliability  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
• 1-Gbit in SCSP is –30 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ VIII process technology (130 nm)  
— 16-bit wide data bus  
The Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30) product is the latest generation of Intel  
StrataFlash® memory devices. Offered in 64-Mbit up through 1-Gbit densities, the P30 device  
brings reliable, two-bit-per-cell storage technology to the embedded flash market segment.  
Benefits include more density in less space, high-speed interface, lowest cost-per-bit NOR  
device, and support for code and data storage. Features include high-performance synchronous-  
burst read mode, fast asynchronous access times, low power, flexible security options, and three  
industry standard package choices.  
The P30 product family is manufactured using Intel® 130 nm ETOX™ VIII process technology.  
Order Number: 306666, Revision: 001  
April 2005  
1234567...102

中文翻译

下载PDF

PF48F4400P0VBQ0 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PF48F4400P0VTQ0 INTEL

功能相似

 Intel StrataFlash Embedded Memory

与PF48F4400P0VBQ0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PF48F4400P0VBQ0A MICRON

获取价格

 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
PF48F4400P0VBQEA MICRON

获取价格

 		1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
PF48F4400P0VBQEE MICRON

获取价格

 		1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
PF48F4400P0VBQEF MICRON

获取价格

 		256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
PF48F4400P0VBQEK MICRON

获取价格

 		256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
PF48F4400P0VTQ0 INTEL

获取价格

 		Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4400P0Z0C0 NUMONYX

获取价格

 		StrataFlash® Cellular Memory
PF48F4400P0Z0Q0 NUMONYX

获取价格

 		StrataFlash® Cellular Memory
PF48F4400P0Z0W0 NUMONYX

获取价格

 		StrataFlash® Cellular Memory
PF48F4400P0Z3C0 NUMONYX

获取价格

 		StrataFlash® Cellular Memory

与PF48F4400P0VBQ0相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证