是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | 最长访问时间: | 100 ns |
启动块: | BOTTOM/TOP | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B88 | JESD-609代码: | e1 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 部门数/规模: | 8, 510 |
端子数量: | 88 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | FBGA |
封装等效代码: | BGA88,8X12,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8,1.8/3.3 V |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
部门规模: | 16K,64K | 最大待机电流: | 0.00042 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.031 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PF48F4400P0VBQEA | MICRON |
完全替代 ![]() |
1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage |
![]() |
PF48F4400P0VBQEF | MICRON |
完全替代 ![]() |
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm |
![]() |
PF48F4000P0ZBQEF | MICRON |
完全替代 ![]() |
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PF48F4400P0VTQ0 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Embedded Memory |
![]() |
PF48F4400P0Z0C0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
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PF48F4400P0Z0Q0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
![]() |
PF48F4400P0Z0W0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
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PF48F4400P0Z3C0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
![]() |
PF48F4400P0Z3Q0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
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PF48F4400P0Z3W0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
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PF48F4400P0ZFC0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
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PF48F4400P0ZFQ0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
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PF48F4400P0ZFW0 | NUMONYX |
获取价格 |
StrataFlash® Cellular Memory |
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