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PEMB14,115 PDF预览

PEMB14,115

更新时间： 2024-11-14 19:45:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 56K
描述
PEMB14; PUMB14 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = open SOT 6-Pin

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PEMB14,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PEMB14,115 数据手册

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PEMB14; PUMB14  
PNP/PNP resistor-equipped transistors;  
R1 = 47 kΩ, R2 = open  
Rev. 02 — 31 August 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP/PNP resistor-equipped transistors  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
NPN/PNP  
complement  
NPN/NPN  
complement  
JEITA  
-
PEMB14  
PUMB14  
SOT666  
SOT363  
PEMD14  
PUMD14  
PEMH14  
PUMH14  
SC-88  
1.2 Features  
I Built-in bias resistors  
I Simplifies circuit design  
I Reduces component count  
I Reduces pick and place cost  
1.3 Applications  
I Low current peripheral driver  
I Control of IC inputs  
I Replacement of general-purpose transistors in digital applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
VCEO  
IO  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
−50  
−100  
61  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
output current (DC)  
bias resistor 1 (input)  
open base  
-
-
-
-
mA  
kΩ  
R1  
33  
47  
 
 
 
 
 
1234567...10

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PEMB14,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PEMB14 NXP

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