Datasheet > PDTC115EM,315

PDTC115EM,315

更新时间： 2024-02-03 12:40:21

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	100K
描述
PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm DFN 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDTC115EM,315 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DFN	包装说明：	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PBCC-N3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PDTC115E series

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

Product data sheet

2004 Aug 06

Supersedes data of 2004 Apr 06

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PDTC115EM	NXP	类似代替	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115EM	NEXPERIA	功能相似	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC115EMB	NXP	获取价格	20mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA
PDTC115EMB	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ
PDTC115EMB,315	NXP	获取价格	PDTC115EMB - NPN resistor-equipped transistor
PDTC115ES	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115ET	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115ET	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction
PDTC115ET,215	NXP	获取价格	PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm TO-236 3
PDTC115EU	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115EU	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction
PDTC115EU,115	NXP	获取价格	PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm SC-70 3-