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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 230 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC114YU-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC114YUT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene |
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| PDTC115E | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTC115EE | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTC115EE,115 | NXP |
获取价格 |
PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm SC-75 3- |
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| PDTC115EEF | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTC115EEF,115 | NXP |
获取价格 |
20mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
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| PDTC115EET/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP Gene |
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| PDTC115EK | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTC115EM | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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