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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDTC115EM | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTC115EM | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction |
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| PDTC115EM,315 | NXP |
获取价格 |
PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm DFN 3-Pi |
|
| PDTC115EMB | NXP |
获取价格 |
20mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA |
|
| PDTC115EMB | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 kΩ |
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| PDTC115EMB,315 | NXP |
获取价格 |
PDTC115EMB - NPN resistor-equipped transistor |
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| PDTC115ES | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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| PDTC115ET | NXP |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
|
| PDTC115ET | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhmProduction |
|
| PDTC115ET,215 | NXP |
获取价格 |
PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm TO-236 3 |
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