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PDM4M4060S15AM PDF预览

PDM4M4060S15AM

更新时间： 2024-02-11 09:14:00
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 200K
描述
SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS, ANGLED, SIMM-72

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PDM4M4060S15AM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIMM
包装说明：ANGLED, SIMM-72针数：72
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-XSMA-N72
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：SRAM MODULE
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：72字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX32封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PDM4M4060S15AM 数据手册

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PDM4M4060  
DC Electrical Characteristics (V = 5.0V ± 5%, T = 0°C to 70°C)  
CC  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Unit  
I
I
I
Input Leakage Current  
(Address WE, and OE)  
V
V
V
= Max.,V = V to V  
CC  
—
80  
µA  
LI  
CC  
IN  
SS  
Input Leakage Current  
(Data and CS)  
= Max., V = V to V  
CC  
—
—
10  
10  
µA  
µA  
LI  
CC  
IN  
SS  
Output Leakage Current  
= V to V , V = Max.,  
SS CC CC  
LO  
OUT  
CS = V  
IH  
V
V
V
V
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
I
I
= 8 mA, V = Min.  
—
0.4  
—
V
V
V
V
OL  
OH  
IH  
OL  
OL  
CC  
= –4 mA, V = Min.  
2.4  
2.2  
CC  
6.0  
0.8  
(1)  
–0.5  
IL  
NOTE 1. V = –3.0V for pulse widths less than 10 ns, once per cycle.  
IL  
Power Supply Characteristics  
20 ns - 25  
(1)  
10 ns - 15 ns  
Max  
(1)  
ns  
Max  
Unit  
Symbol  
Parameter  
I
I
I
Operating Current  
1600  
480  
1360  
mA  
mA  
mA  
CC  
CS = V , V = Max., f = f , Outputs Open  
IL  
CC  
MAX  
Standby Current  
CS ≥ V , V = Max., f = f , Outputs Open  
MAX  
480  
120  
SB  
IH  
CC  
Full Standby Current CS ≥ V – 0.2V,  
320  
SB1  
CC  
f = 0, V > V – 0.2V or < 0.2V, Outputs Open  
IN  
CC  
NOTE 1. Preliminary specification only.  
Capacitance(1) (T = +25°C, f = 1.0 MHz)  
A
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance, (CS) V = 0V  
Max.  
Unit  
C
C
C
20  
70  
12  
pF  
pF  
pF  
IN(D)  
IN(A)  
I/O  
IN  
Input Capacitance, (Address and Control) V = 0V  
IN  
I/O Capacitance, V  
= 0V  
OUT  
NOTE 1. This parameter is determined by device characteristics but is not production tested.  
Rev 2.2
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PDM4M4060S15M IXYS

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