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PDM4M3120S15M

更新时间： 2024-01-16 20:49:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 108K
描述
SRAM Module, 1MX32, 15ns, CMOS, SIMM-72

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PDM4M3120S15M 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM4M3120  
Timing Waveforms of Read Cycle No.1(1)  
t
RC  
1
2
ADDRESS  
t
AA  
OE  
t
t
OH  
(5)  
OE  
(5)  
t
OLZ  
CS  
3
t
t
OHZ  
ACS  
(5)  
(5)  
t
t
CHZ  
CLZ  
D
OUT  
4
5
Timing Waveforms of Read Cycle No.2(1,2,4)  
t
RC  
6
ADDRESS  
t
AA  
t
t
OH  
OH  
7
D
OUT  
Previous Data Valid  
Data Valid  
Timing Waveforms of Read Cycle No.3(1,3,4)  
9
CS  
t
ACS  
10  
11  
12  
(5)  
(5)  
t
t
CLZ  
CLZ  
D
OUT  
NOTES  
1
WE is HIGH for Read Cycle.  
2. Device is continuously selected. CS = V .  
3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.  
4. OE = V .  
IL  
IL  
5. Transition is measured ±200 mV for steady state. This parameter is  
determined by device characteristics but is not production tested.  
Rev 1.1  
7
1...45678910

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