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PDM41024LA12TI

更新时间： 2024-01-18 05:27:07
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 295K
描述
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

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PDM41024LA12TI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.14
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.0005 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.21 mA最大供电电压 (Vsup)：5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

PDM41024LA12TI 数据手册

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PDM41024  
Write Cycle No. 3 (Chip Enable Controlled)  
t
WC  
1
2
ADDR  
t
t
AH  
AW  
t
t
AS  
CW  
CE2  
CE1  
t
3
WP1  
WE  
t
t
DH  
DS  
D
DATA VALID  
IN  
HIGH-Z  
D
OUT  
NOTE: Output Enable (OE) is inactive (high)  
5
6
AC Electrical Characteristics  
(7)  
(7)  
Description  
-10  
-12  
-15  
WRITE Cycle  
Sym  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Units  
7
WRITE cycle time  
t
t
10  
10  
10  
0
12  
10  
10  
0
15  
11  
11  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
WC  
Chip enable active time  
Address valid to end of write  
Address setup time  
CW  
t
AW  
8
t
AS  
AH  
Address hold from end of write  
Write pulse width  
t
0
0
0
t
8
8
11  
12  
7
WP1  
WP2  
Write pulse width  
t
8
8
9
Data setup time  
t
7
7
DS  
Data hold time  
t
0
0
0
DH  
(1,3)  
(1,3)  
Write disable to output in low Z  
t
0
0
0
LZWE  
HZWE  
10  
11  
12  
Write enable to output in high Z  
t
7
7
7
SHADED AREA = PRELIMINARY DATA  
Notes referenced are after Data Retention Table  
Rev. 3.3 - 4/09/98  
7
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与PDM41024LA12TI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PDM41024LA12TITR ETC

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 		1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit
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