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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSSOP, TSSOP32,.8,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.21 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDM41024LA12TITR | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024LA12TITY | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024LA12TSO | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| PDM41024LA12TSOA | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, SOJ-32 |
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| PDM41024LA12TSOATR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, SOJ-32 |
|
| PDM41024LA12TSOATY | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
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| PDM41024LA12TSOI | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
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| PDM41024LA12TSOITR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
|
| PDM41024LA12TSOITY | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024LA12TSOTR | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
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