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PDM41024LA15P

更新时间: 2024-01-17 09:44:42
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 389K
描述
x8 SRAM

PDM41024LA15P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.14
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.165 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

PDM41024LA15P 数据手册

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