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PD60004S PDF预览

PD60004S

更新时间： 2024-11-20 14:30:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, POWER, PLASTIC, SO-3

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PD60004S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：POWER, PLASTIC, SO-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：165 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PD60004S 数据手册

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PD60004  
PD60004S  
RF POWER TRANSISTORS  
The LdmoST Plastic FAMILY  
TARGET DATA  
Designed for GSM / EDGE / IS-97 applications  
• EXCELLENT THERMAL STABILITY  
• COMMON SOURCE CONFIGURATION  
• P  
= 4 W with 11 dB gain @ 2000 MHz  
OUT  
PowerSO-10RF  
(formed lead)  
DESCRIPTION  
The PD60004 is a common source N-Channel, en-  
hancement-mode lateral Field-Effect RF power  
transistor. It is designed for high gain, broad band  
commercial and industrial applications. It operates  
at 26 V in common source mode at frequencies of  
up to 2 GHz. PD60004 boasts the excellent gain,  
linearity and reliability of ST’s latest LDMOS tech-  
nology mounted in the first true SMD plastic RF  
power package, PowerSO-10RF. PD60004’s su-  
perior linearity performance makes it an ideal so-  
lution for base station applications.  
ORDER CODE  
BRANDING  
PD60004  
PD60004  
The PowerSO-10 plastic package, designed to of-  
fer high reliability, is the first ST JEDEC approved,  
high power SMD package. It has been specially  
optimized for RF needs and offers excellent RF  
performances and ease of assembly.  
PowerSO-10RF  
(straight lead)  
ORDER CODE  
BRANDING  
PD60004S  
PD60004S  
Mounting recommendations are available in  
www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25 °C)  
CASE  
Symbol  
Parameter  
Value  
65  
Unit  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
(BR)DSS  
V
± 20  
V
GS  
I
D
TBD  
A
P
Power Dissipation (@ Tc = 70°C)  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
TBD  
W
°C  
°C  
DISS  
Tj  
165  
T
-65 to +175  
STG  
THERMAL DATA (T  
= 70 °C)  
CASE  
R
th(j-c)  
Junction -Case Thermal Resistance  
TBD  
°C/W  
November, 20 2001  
1/5  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PD60015 ETC

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