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PBSS5520X,135 PDF预览

PBSS5520X,135

更新时间: 2024-09-26 15:47:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 117K
描述
PBSS5520X - 20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor SOT-89 3-Pin

PBSS5520X,135 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-89包装说明:PLASTIC, SC-62, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.39
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):150
JEDEC-95代码:TO-243AAJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

PBSS5520X,135 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PBSS5520X  
20 V, 5 A  
PNP low VCEsat (BISS) transistor  
Product data sheet  
2004 Nov 08  
Supersedes data of 2004 Jun 23  

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