5秒后页面跳转
P205CH10D2KO PDF预览

P205CH10D2KO

更新时间: 2024-09-11 09:38:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 1000 V, SCR

P205CH10D2KO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:200 mA
JESD-30 代码:O-CEDB-N2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:740 A
断态重复峰值电压:1000 V重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P205CH10D2KO 数据手册

 浏览型号P205CH10D2KO的Datasheet PDF文件第2页 

与P205CH10D2KO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P205CH10DG0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),610A I(T),TO-200AB
P205CH10DH IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 1000 V, SCR, TO-200AB
P205CH10DH0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 1000V V(DRM)
P205CH10DHO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P205CH10DJ0 LITTELFUSE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 1000V V(DRM),
P205CH10E2K IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 1000 V, SCR, TO-200AB
P205CH10E2KO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
P205CH10EG IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A
P205CH10EG0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 1000V V(DRM)
P205CH10EGO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element