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P205CH10EGO

更新时间: 2024-09-10 13:17:15
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 260K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

P205CH10EGO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:200 mAJESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:740 A断态重复峰值电压:1000 V
重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P205CH10EGO 数据手册

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