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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 740 A |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P205CH12DH | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
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| P205CH12DH0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),610A I(T),TO-200AB |
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| P205CH12DJ0 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 1200V V(DRM), |
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| P205CH12E2K | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| P205CH12E2K0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),610A I(T),TO-200AB |
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| P205CH12E2KO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| P205CH12EG | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
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| P205CH12EG0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),610A I(T),TO-200AB |
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| P205CH12EGO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 1200 V, SCR |
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| P205CH12EH0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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