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ONET8511TY PDF预览

ONET8511TY

更新时间： 2024-09-16 03:44:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI ATM集成电路SONET集成电路SDH集成电路电信集成电路电信电路放大器异步传输模式
页数 文件大小 规格书
14页 315K
描述
11.3 Gbps Linear Transimpedance Amplifier With AGC and RSSI

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ONET8511TY 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：DIE, DIE OR CHIP针数：18
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.78Is Samacsys：N
应用程序：SONETJESD-30 代码：R-XUUC-N18
功能数量：1端子数量：18
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装等效代码：DIE OR CHIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
子类别：Other Telecom ICs最大压摆率：0.07 mA
标称供电电压：3.3 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ONET8511TY 数据手册

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ONET8511T  
www.ti.com  
SLLS895–MARCH 2008  
11.3 Gbps Linear Transimpedance Amplifier With AGC and RSSI  
1
FEATURES  
•
•
Die Size: 945 × 1200 µm  
Case temperature operation: –25°C to 100°C  
•
8 GHz Bandwidth  
•
5.5 kΩ Differential Small Signal  
Transimpedance  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
•
10 Gigabit Ethernet LRM Optical Receivers  
SFP+ Optical Receivers  
8×and 10× Fibre Channel Optical Receivers  
SONET OC-192  
PIN Preamplifier-Receivers  
•
•
•
•
•
•
Automatic Gain Control (AGC)  
5% THD Typical with 100 MHz Input  
10 pA/√Hz Typical Input Referred Noise  
2 mAP-P Input Current Linear Operation  
Received Signal Strength Indication (RSSI)  
CML Data Outputs With On-Chip 50 Ω  
Back-Termination  
•
•
On Chip Supply Filter Capacitor  
Single 3.3 V Supply  
DESCRIPTION  
The ONET8511T is a high-speed, high linearity transimpedance amplifier used in optical receivers with data  
rates up to 11.3 Gbps. It features low input referred noise, 8 GHz bandwidth, 5.5 kΩ small signal  
transimpedance, automatic gain control (AGC) which provides highly linear operation and a received signal  
strength indicator (RSSI).  
The ONET8511T is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor and is optimized for  
packaging in a TO can and for the use together with electronic dispersion compensation (EDC) ICs.  
The ONET8511T requires a single +3.3 V supply and its power efficient design typically dissipates less than  
160 mW. The device is characterized for operation from -25°C to 100°C (IC back side) temperature..  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Copyright © 2008, Texas Instruments Incorporated  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
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