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ONET8531TYS PDF预览

ONET8531TYS

更新时间： 2024-02-03 08:36:17
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI ATM集成电路SONET集成电路SDH集成电路电信集成电路电信电路放大器异步传输模式
页数 文件大小 规格书
15页 387K
描述
11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI

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ONET8531TYS 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
零件包装代码：DIE包装说明：DIE-19
针数：19Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：35 weeks
风险等级：5.86Is Samacsys：N
应用程序：SONETJESD-30 代码：R-XUUC-N19
长度：1.195 mm功能数量：1
端子数量：19最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装等效代码：DIE OR CHIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified子类别：Other Telecom ICs
最大压摆率：44 mA标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：0.94 mmBase Number Matches：1

ONET8531TYS 数据手册

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ONET8531T  
www.ti.com  
SLLS891–FEBRUARY 2008  
11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI  
1
FEATURES  
APPLICATIONS  
•
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SONET OC-192  
SFP+ Optical Receivers  
10× Fibre Channel Optical Receivers  
10G Ethernet Receivers  
PIN Preamplifier-Receivers  
APD Preamplifier Receivers  
•
10 GHz Bandwidth  
•
4.5 kΩ Differential Small Signal  
Transimpedance  
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•
2.5 mAp-p Input Overload Current  
Received Signal Strength Indication (RSSI)  
100 mW Typical Power Dissipation  
CML Data Outputs With On-Chip 50 Ω  
Back-Termination  
•
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•
On Chip Supply Filter Capacitor  
Single 3.3 V Supply  
Die Size: 945 × 1200 µm  
Case temperature operation: –40°C to 100°C  
DESCRIPTION  
The ONET8531T is a high-speed and high-gain limiting-transimpedance amplifier, used in optical receivers with  
data rates up to 12.5 Gbps. It features low input referred noise, 10 GHz bandwidth, 4.5 kΩ small signal  
transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI).  
The ONET8531T is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor and is optimized for  
packaging in a TO can.  
The ONET8531T requires a single +3.3V ± 10% supply and its power efficient design typically dissipates less  
than 105 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back side) temperature.  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Copyright © 2008, Texas Instruments Incorporated  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
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