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Datasheet > 电信电路 > ATM/SONET/SDH 集成电路> ONET8531TYS
ONET8531TYS PDF预览

ONET8531TYS

更新时间： 2024-01-05 07:06:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI ATM集成电路SONET集成电路SDH集成电路电信集成电路电信电路放大器异步传输模式
页数 文件大小 规格书
15页 387K
描述
11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI

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ONET8531TYS 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
零件包装代码：DIE包装说明：DIE-19
针数：19Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：35 weeks
风险等级：5.86Is Samacsys：N
应用程序：SONETJESD-30 代码：R-XUUC-N19
长度：1.195 mm功能数量：1
端子数量：19最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装等效代码：DIE OR CHIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified子类别：Other Telecom ICs
最大压摆率：44 mA标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：0.94 mmBase Number Matches：1

ONET8531TYS 数据手册

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ONET8531T  
www.ti.com  
SLLS891–FEBRUARY 2008  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
2500  
7
TYP MAX  
4500 6500  
10  
UNIT  
Ω
Z21  
Small signal transimpedance  
Small signal bandwidth  
Differential output; Input current IIN = 20 µAp-p  
(1)  
fHSS,3dB  
fL,3dB  
IN,IN  
IIN = 16 µAp-p  
GHz  
kHz  
µA  
Low frequency –3 dB bandwidth  
Input referred RMS noise  
Unstressed sensitivity optical  
16 µA < IIN < 2000 µAp-p  
10 GHz bandwidth(2)  
10.3125 Gbps, PRBS31 pattern, 850 nm, BER 10–12  
30 100  
0.9  
–14  
6
1.6  
SUS  
dBm  
16 µAp-p < IIN < 500 µAp-p (10.3125 Gbps,  
PRBS31 pattern)  
11  
13  
15  
DJ  
Deterministic jitter  
psp-p  
500 µAp-p < IIN < 2000 µAp-p (10.3125 Gbps,  
PRBS31 pattern)  
6
6
DJOL  
Overload deterministic jitter  
2000 µAp-p < IIN < 2500 µAp-p (K28.5 pattern)  
Input current IIN = 200 µAp-p  
psp-p  
VOUT,D,MAX Maximum differential output  
voltage  
240  
280 350  
mVp-p  
ARSSI_IB  
ARSSI_EB  
PSNR  
RSSI gain internal bias  
Resistive load to GND(3)  
0.48  
3.5  
0.5 0.52  
A/A  
RSSI internal bias output offset  
current (no light)(4)  
10  
16  
µA  
RSSI gain external bias  
Resistive load to GND(3)  
0.43  
0.6  
A/A  
RSSI external bias output offset  
current (no light)  
25  
µA  
Power supply noise rejection  
F < 10 MHz(5), supply filtering according to SFF8431  
–15  
dB  
(1) The small signal bandwidth is specified over process corners, temperature, and supply voltage variation. The assumed photodiode  
capacitance is 0.2 pF and the bond-wire inductance is 0.3 nH. The small signal bandwidth strongly depends on environmental parasitics.  
Careful attention to layout parasitics and external components is necessary to achieve optimal performance.  
(2) Input referred RMS noise = (RMS output noise) ÷ (gain at 100 MHz).  
(3) The RSSI output is a current output, which requires a resistive load to ground (GND). The voltage gain can be adjusted for the intended  
application by choosing the external resistor; however, for proper operation, ensure that the voltage at RSSI does not exceed  
VCC–0.65 V.  
(4) Offset is added to improve accuracy below 5 µA. When measured without input current (no light) the offset can be subtracted as a  
constant offset from RSSI measurements.  
(5) PSNR is the differential output amplitude divided by the voltage ripple on supply; no input current at IN.  
Copyright © 2008, Texas Instruments Incorporated  
Submit Documentation Feedback  
5
Product Folder Link(s): ONET8531T  
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