5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NVTYS029N08HTWG
NVTYS029N08HTWG PDF预览

NVTYS029N08HTWG

更新时间： 2023-09-03 20:40:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 333K
描述
MOSFET – Power, Single, N-Channel,

阅读下载

中文翻译

获取价格

NVTYS029N08HTWG 数据手册

 浏览型号NVTYS029N08HTWG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NVTYS029N08HTWG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NVTYS029N08HTWG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NVTYS029N08HTWG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NVTYS029N08HTWG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NVTYS029N08HTWG的Datasheet PDF文件第7页 
NVTYS029N08H  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
V
V
GS  
= 0 V, I = 250 mA  
80  
V
(BR)DSS  
D
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
Temperature Coefficient  
V
/T  
J
I
D
= 250 mA, ref to 25°C  
60.6  
mV/°C  
(BR)DSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
T = 25°C  
10  
mA  
DSS  
J
V
= 0 V,  
GS  
DS  
V
= 80 V  
T = 125°C  
J
250  
100  
Gate−to−Source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
I
V
= 0 V, V = 20 V  
nA  
GSS  
DS  
GS  
V
V
= V , I = 20 mA  
2.0  
4
V
GS(TH)  
GS  
DS  
D
Negative Threshold Temperature  
Coefficient  
V
/T  
I = 20 mA, ref to 25°C  
D
−8.3  
mV/°C  
GS(TH)  
J
Drain−to−Source On Resistance  
Forward Transconductance  
CHARGES AND CAPACITANCES  
Input Capacitance  
R
V
= 10 V, I = 5 A  
26.8  
22  
32.4  
mW  
DS(on)  
GS  
D
g
FS  
V
DS  
= 15 V, I = 10 A  
S
D
C
369  
57  
pF  
nC  
iss  
V
= 0 V, f = 1.0 MHz,  
GS  
Output Capacitance  
C
oss  
V
DS  
= 40 V  
Reverse Transfer Capacitance  
Threshold Gate Charge  
Gate−to−Source Charge  
Gate−to−Drain Charge  
C
4
rss  
Q
1.2  
1.8  
1.6  
6.3  
G(TH)  
Q
V
V
= 10 V, V = 40 V, I = 10 A  
DS D  
GS  
GS  
Q
GD  
Total Gate Charge  
Q
= 10 V, V = 40 V, I = 10 A  
nC  
ns  
G(TOT)  
GS  
DS  
D
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)  
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
t
6.6  
1.5  
11  
2
d(on)  
t
r
V
= 10 V, V = 64 V,  
DS  
GS  
I
D
= 10 A, R = 3 W  
G
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
t
d(off)  
t
f
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
V
T = 25°C  
0.8  
0.7  
25  
19  
6
1.2  
V
SD  
J
V
= 0 V,  
GS  
S
I
= 5 A  
T = 125°C  
J
Reverse Recovery Time  
Charge Time  
t
ns  
RR  
t
t
a
V
GS  
= 0 V, dl /dt = 100 A/ms,  
S
I
S
= 10 A  
Discharge Time  
b
Reverse Recovery Charge  
Q
18  
nC  
RR  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
5. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%.  
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.  
www.onsemi.com  
2
 
1234567

中文翻译

下载PDF

与NVTYS029N08HTWG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVTYS040N10MCLTWG ONSEMI

获取价格

 		MOSFET – Power, Single, N-Channel,
NVTYS9D6P04M8LTWG ONSEMI

获取价格

 		MOSFET – Power, Single, P-Channel,
NVVR26A120M1WSS ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC Power
NVVR26A120M1WST ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC Power
NVXA0402-090C121TRF NIC

获取价格

 		Surface Mount Varistor
NVXA0402-090C151TRF NIC

获取价格

 		Surface Mount Varistor
NVXA0402-090C231TRF NIC

获取价格

 		Surface Mount Varistor
NVXA0402-140C121TRF NIC

获取价格

 		Surface Mount Varistor
NVXA0402-140C161TRF NIC

获取价格

 		Surface Mount Varistor
NVXA0402-5R5C181TRF NIC

获取价格

 		Surface Mount Varistor

与NVTYS029N08HTWG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证