生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8533.40.40.00 | 风险等级: | 5.58 |
电路直流最大电压: | 350 V | 电路RMS最大电压: | 275 V |
最大能量吸收容量: | 215 J | JESD-609代码: | e2 |
安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装形状: | DISK PACKAGE | 包装方法: | BULK |
电阻器类型: | VARISTOR | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN COPPER | 端子位置: | RADIAL |
端子形状: | WIRE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NVD20UTMTBK471 | KOA |
获取价格 |
Varistor, 385V, 250J, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | |
NVD20UTMTBK681 | KOA |
获取价格 |
Varistor, 560V, 273J, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | |
NVD260N65S3 | ONSEMI |
获取价格 |
Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, | |
NVD260N65S3T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, | |
NVD2955 | ONSEMI |
获取价格 |
â60 V, â12 A, PâChannel DPAK | |
NVD2955T4G | ONSEMI |
获取价格 |
â60 V, â12 A, PâChannel DPAK | |
NVD3055-094 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12 A, 60 V, NâChannel DPAK / I | |
NVD3055-094T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 12 A, 60 V, NâChannel DPAK / I | |
NVD3055-094T4G-VF01 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,功率 MOSFET,60V,12A,94mΩ | |
NVD3055-150T4G | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,60V,9A,150mΩ,单 N 沟道,DPAK |