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NVD3055L170T4G

更新时间： 2024-09-30 12:22:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
Power MOSFET

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NVD3055L170T4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DPAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：5.16
雪崩能效等级（Eas）：30 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：28.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVD3055L170T4G 数据手册

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NTD3055L170,  
NVD3055L170  
Power MOSFET  
9.0 A, 60 V, Logic Level, N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
9.0 AMPERES, 60 VOLTS  
Features  
• NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
• These are Pb−Free Devices  
RDS(on) = 170 mW  
N−Channel  
D
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
4
DPAK  
CASE 369C  
(Surface Mounted)  
STYLE 2  
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
2
1
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
3
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
60  
GS  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
4
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
DPAK−3  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
− Non−repetitive (t v10 ms)  
p
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
Adc  
Apk  
I
9.0  
3.0  
27  
A
D
1
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
A
2
3
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
28.5  
0.19  
2.1  
W
W/°C  
W
A
MARKING DIAGRAMS  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
1.5  
W
A
1 − Gate  
2 − Drain  
YWW  
31  
70LG  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
4
Drain  
3 − Source  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
30  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
L = 1.0 mH, I (pk) = 7.75 A, V = 60 Vdc)  
L
DS  
1 − Gate  
2 − Drain  
YWW  
31  
70LG  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
°C/W  
4
R
R
R
5.2  
71.4  
100  
Drain  
q
JC  
JA  
JA  
3 − Source  
q
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
L
260  
°C  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommen-  
ded Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above  
the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended  
pad size.  
3170L = Device Code  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
June, 2012 − Rev. 5  
NTD3055L170/D  
 
12345678

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NVD3055L170T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD3055L170T4G ONSEMI

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NTD3055L170T4 ONSEMI

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