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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> NUP2201MR6T1
NUP2201MR6T1 PDF预览

NUP2201MR6T1

更新时间： 2024-01-16 04:29:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 瞬态抑制器二极管电视光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 42K
描述
Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection

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NUP2201MR6T1 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：PLASTIC, CASE 318G-02, TSOP-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.61
Is Samacsys：N其他特性：LOW CAPACITANCE
最小击穿电压：6 V最大钳位电压：20 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：500 W
元件数量：1端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

NUP2201MR6T1 数据手册

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NUP2201MR6  
Low Capacitance TSOP−6  
Diode−TVS Array for High  
Speed Data Lines  
Protection  
The NUP2201MR6 transient voltage suppressor is designed to  
protect high speed data lines from ESD, EFT, and lighting.  
http://onsemi.com  
TSOP−6 LOW CAPACITANCE  
DIODE TVS ARRAY  
500 WATTS PEAK POWER  
6 VOLTS  
Features:  
• Low Capacitance (3 pF Maximum Between I/O Lines)  
• ESD Rating of Class 3B (Exceeding 8 kV) per Human Body model  
and Class C (Exceeding 400 V) per Machine Model  
• Protection for the Following IEC Standards:  
IEC 61000−4−2 (ESD) 15 kV (air) 8 kV (contact)  
IEC 61000−4−4 (EFT) 40 A (5/50 ns)  
PIN CONFIGURATION  
AND SCHEMATIC  
IEC 61000−4−5 (lighting) 23 A (8/20 ms)  
I/O 1  
6 I/O  
5 V  
• UL Flammability Rating of 94 V−0  
V
N
2
P
Typical Applications:  
• High Speed Communication Line Protection  
• USB 1.1 and 2.0 Power and Data Line Protection  
• Digital Video Interface (DVI)  
N/C 3  
4 N/C  
• Monitors and Flat Panel Displays  
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
Pb−Free Lead Finish  
6
1
TSOP−6  
CASE 318G  
PLASTIC  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Power Dissipation  
P
pk  
500  
W
8 x 20 mS @ T = 25°C (Note 1)  
A
MARKING DIAGRAM  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−40 to +125  
−55 to +150  
235  
°C  
°C  
°C  
J
T
stg  
M
62  
Lead Solder Temperature −  
Maximum (10 Seconds)  
T
L
Human Body Model (HBM)  
Machine Model (MM)  
IEC 61000−4−2 Air (ESD)  
IEC 61000−4−2 Contact (ESD)  
ESD  
16000  
400  
20000  
20000  
V
62 = Specific Device Code  
M
= Date Code  
1. Non−repetitive current pulse per Figure 1 (Pin 5 to Pin 2)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NUP2201MR6T1  
Package  
Shipping  
TSOP−6 3000/Tape & Reel  
NUP2201MR6T1G TSOP−6 3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
November, 2003 − Rev. 1  
NUP2201MR6/D  
1234

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NUP2201MR6T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NUP4114HMR6T1G ONSEMI

类似代替

 Transient Voltage Suppressors Low Capacitance ESD Protection for High Speed Data Lines
NUP2201MR6T1G ONSEMI

完全替代

 Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection
NUP4201MR6T1G ONSEMI

完全替代

 Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NUP2201MR6T1G ONSEMI

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 		Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection
NUP2201MR6T1G_07 ONSEMI

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 		Integrated Solutions for USB Line Protection and Termination
NUP2202 ONSEMI

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 		Low cap. diode array for 2 Line High Speed USB protection devic
NUP2202W1 ONSEMI

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 		Low cap. diode array for 2 Line High Speed USB protection devic
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 		Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines
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