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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTTFS4929NTWG
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NTTFS4929NTWG

更新时间： 2024-11-24 12:20:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 153K
描述
Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N−Channel, 8FL

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NTTFS4929NTWG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：WDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：34 A
最大漏极电流 (ID)：10.6 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：22.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：69 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS4929NTWG 数据手册

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NTTFS4929N  
Power MOSFET  
30 V, 34 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
11 mW @ 10 V  
17 mW @ 4.5 V  
Applications  
30 V  
34 A  
• DC−DC Converters  
• Power Load Switch  
• Notebook Battery Management  
• Motor Control  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
30  
20  
V
V
A
G (4)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
10.6  
7.7  
A
S (1,2,3)  
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
2.11  
W
A
q
A
D
JA  
MARKING DIAGRAM  
1
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
14.3  
10.3  
3.83  
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
4929  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
D
D
D
R
Steady  
State  
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
6.6  
4.7  
D
4929  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.81  
W
A
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
34  
25  
D
(Note: Microdot may be in either location)  
q
JC  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
22.3  
W
R
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
115  
A
A
p
†
Device  
Package  
Shipping  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
NTTFS4929NTAG  
WDFN8 1500/Tape & Reel  
T
(Pb−Free)  
Source Current (Body Diode)  
I
S
22  
6.0  
A
NTTFS4929NTWG WDFN8 5000/Tape & Reel  
Drain to Source dV/dt  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
(Pb−Free)  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
16.2  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
(T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I = 18 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
May, 2011 − Rev. 0  
NTTFS4929N/D  
 
1234567

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