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NTHL025N065SC1

更新时间： 2023-09-03 20:35:54

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
8页	298K
描述
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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NTHL025N065SC1 数据手册

NTHL025N065SC1

TYPICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)

0.1

0.5 Duty Cycle

0.2

0.1

0.05

0.02

Notes:

= 0.43°C/W

0.01

0.001

ꢁ

Single Pulse

Duty Cycle, D = t /t

1E−05

0.0001

0.001

0.01

0.1

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)

Figure 13. Junction−to−Case Thermal Response

www.onsemi.com

1...3 4 567 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NTHL027N65S3HF	ONSEMI	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，75	获取价格
NTHL030N120M3S	ONSEMI	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 m	获取价格
NTHL033N65S3HF	ONSEMI	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，70	获取价格
NTHL040N120M3S	ONSEMI	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L	获取价格
NTHL040N120SC1	ONSEMI	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L	获取价格
NTHL040N65S3F	ONSEMI	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，65	获取价格