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NTE44

更新时间: 2024-11-04 20:19:23
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NTE 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 111K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

NTE44 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.79Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:COMMON BASE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):400JESD-30 代码:R-PSIP-W5
元件数量:2端子数量:5
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon