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NTE452 PDF预览

NTE452

更新时间： 2024-11-01 22:50:55
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NTE 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier, Mixer

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NTE452 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.38
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：0.8 pF
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
最小功率增益 (Gp)：10 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON

NTE452 数据手册

 浏览型号NTE452的Datasheet PDF文件第2页 
NTE452  
Silicon N–Channel JFET Transistor  
VHF Amplifier, Mixer  
Description:  
The NTE452 is a silicon, N–channel junction field effect tranistor (JFET) in a TO72 type package de-  
signed to be used in the depletion mode in VHF/UHF amplifiers.  
Absolute Maximum Ratings:  
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V  
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.71mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max  
Unit  
OFF Characteristics  
Gate–Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
V
I = 1µs, V = 0  
30  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
pA  
pA  
V
(BR)GSS  
G
DS  
I
V
= 20V, V = 0  
100  
200  
6
GSS  
GS  
GS  
DS  
V
= 20V, V = 0, T = +150°C  
–
DS  
A
Gate–Source Cutoff Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
I = 1nA, V = 15V  
–
GS(off)  
D
DS  
V
GS  
I = 0.5mA, V = 15V  
1.0  
–
5.5  
1.0  
V
D
DS  
Gate–Source Forward Voltage  
ON Characteristics (Note 1)  
Zero–Gate Voltage Drain Current  
Small–Signal Characteristics  
Forward Transfer Admittance  
V
GS(f)  
I = 1mA, V = 0  
V
G
DS  
I
V
DS  
= 15V, V = 0  
5
–
15  
mA  
DSS  
GS  
|Y |  
fs  
V
V
= 15V, V = 0, f = 1kHz, Note 1 4500  
–
–
7500 µmhos  
µmhos  
DS  
GS  
Real Part of Forward Transfer  
Admittance  
Y
= 15V, V = 0, f = 400MHz  
4000  
–
fs(real)  
DS  
GS  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 1%.  
12

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